我们的nvSRAM解决方案可以保护您的关键数据,以闪电般的速度执行,并确保数据持久性,毫不妥协。
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硬件概览
它是如何工作的?
nvSRAM Click基于CY14B101J,这是一款1M位nvSRAM,组织为128K个8位字,每个字的每个存储单元都具有非易失性元素,来自英飞凌。CY14B101J将SRAM和非易失性存储单元集成到单个nvSRAM单元中。在正常模式下,所有读写操作都直接从nvSRAM的SRAM部分进行。这提供了比EEPROM和Flash等非易失性存储技术更快的写入和读取访问速度。nvSRAM规定了非易失性单元的一百万次耐久循环,数据保持时间最少20年。在系统断电时,来自SRAM的数据通过标记为C2的电容器中储存的能量传输到其非易失性单元。在上电时,非易失性单元中的数据
会自动被召回到SRAM数组中,并提供给用户使用。在关机期间,只有当数据从SRAM单元传输到非易失性单元时,才会消耗耐久循环。nvSRAM Click使用标准I2C 2线接口与MCU通信,在标准模式下时钟频率可达100kHz,在快速模式下可达400kHz,在FastPlus模式下可达1MHz,在高速模式下可达3.4MHz。CY14B101J提供了零周期延迟写操作,具有无限的SRAM写入耐久性。此外,它还允许通过将标记为ADDR SEL的SMD跳线定位到标记为0和1的适当位置,选择其I2C从机地址的最低有效位(LSB)。该Click板的另一个功能代表可配
置的写保护功能,标记为WP,并路由到mikroBUS™插座的PWM引脚。WP引脚是一个主动高电平引脚,用于保护整个存储器和所有寄存器免受写入操作。必须将此引脚保持高电平以禁止所有写操作。当此引脚为高电平时,所有存储器和寄存器写入都被禁止,并且地址计数器不会递增。此Click板只能使用3.3V逻辑电压电平。在使用不同逻辑电平的MCU之前,必须对板进行适当的逻辑电压级转换。此外,它配备有包含功能和示例代码的库,可用作进一步开发的参考。
功能概述
开发板
Fusion for TIVA v8 是一款专为快速开发嵌入式应用的需求而特别设计的开发板。它支持广泛的微控制器,如不同的32位ARM® Cortex®-M基础MCUs,来自Texas Instruments,无论它们的引脚数量如何,并且具有一系列独特功能,例如首次通过WiFi网络实现的嵌入式调试器/程序员。开发板布局合理,设计周到,使得最终用户可以在一个地方找到所有必要的元素,如开关、按钮、指示灯、连接器等。得益于创新的制造技术,Fusion for TIVA v8 提供了流畅而沉浸式的工作体验,允许在任何情况下、任何地方、任何
时候都能访问。Fusion for TIVA v8开发板的每个部分都包含了使同一板块运行最高效的必要组件。一个先进的集成CODEGRIP程序/调试模块提供许多有价值的编程/调试选项,包括对JTAG、SWD和SWO Trace(单线输出)的支持,并与Mikroe软件环境无缝集成。此外,它还包括一个干净且调节过的开发板电源供应模块。它可以使用广泛的外部电源,包括电池、外部12V电源供应和通过USB Type-C(USB-C)连接器的电源。通信选项如USB-UART、USB HOST/DEVICE、CAN(如果MCU卡支持的话)和以
太网也包括在内。此外,它还拥有广受好评的 mikroBUS™标准,为MCU卡提供了标准化插座(SiBRAIN标准),以及两种显示选项,用于TFT板线产品和基于字符的LCD。Fusion for TIVA v8 是Mikroe快速开发生态系统的一个组成部分。它由Mikroe软件工具原生支持,得益于大量不同的Click板™(超过一千块板),其数量每天都在增长,它涵盖了原型制作和开发的许多方面。
微控制器概述
MCU卡片 / MCU

类型
8th Generation
建筑
ARM Cortex-M4
MCU 内存 (KB)
1024
硅供应商
Texas Instruments
引脚数
212
RAM (字节)
262144
使用的MCU引脚
mikroBUS™映射器
“仔细看看!”
Click board™ 原理图

一步一步来
项目组装
实时跟踪您的结果
应用程序输出
1. 应用程序输出 - 在调试模式下,“应用程序输出”窗口支持实时数据监控,直接提供执行结果的可视化。请按照提供的教程正确配置环境,以确保数据正确显示。

2. UART 终端 - 使用UART Terminal通过USB to UART converter监视数据传输,实现Click board™与开发系统之间的直接通信。请根据项目需求配置波特率和其他串行设置,以确保正常运行。有关分步设置说明,请参考提供的教程。

3. Plot 输出 - Plot功能提供了一种强大的方式来可视化实时传感器数据,使趋势分析、调试和多个数据点的对比变得更加直观。要正确设置,请按照提供的教程,其中包含使用Plot功能显示Click board™读数的分步示例。在代码中使用Plot功能时,请使用以下函数:plot(insert_graph_name, variable_name);。这是一个通用格式,用户需要将“insert_graph_name”替换为实际图表名称,并将“variable_name”替换为要显示的参数。

软件支持
库描述
该库包含 nvSRAM Click 驱动程序的 API。
关键功能:
nvsram_send_cmd
- 该函数向CY14B101J2发送所需的命令nvsram_memory_write
- 该函数从目标17位内存地址开始写入顺序数据nvsram_memory_read
- 该函数从目标17位内存地址开始读取顺序数据
开源
代码示例
完整的应用程序代码和一个现成的项目可以通过NECTO Studio包管理器直接安装到NECTO Studio。 应用程序代码也可以在MIKROE的GitHub账户中找到。
/*!
* @file main.c
* @brief nvSRAM Click example
*
* # Description
* This is an example that demonstrates the use of the nvSRAM click board.
* In this example, we write and then read data from nvSRAM memory.
* Results are being sent to the Usart Terminal where you can track their changes.
* All data logs write on USB uart changes approximately for every 5 sec.
*
* The demo application is composed of two sections :
*
* ## Application Init
* Initialization driver enables - I2C, lock Serial Number write, disable Block Protection
* and enable Memory Write, also write log.
*
* ## Application Task
* Writing data to a memory address, then reading it back and logging it onto uart terminal.
*
* @author Stefan Ilic
*
*/
#include "board.h"
#include "log.h"
#include "nvsram.h"
static nvsram_t nvsram;
static log_t logger;
char demo_data[ 9 ] = { 'm', 'i', 'k', 'r', 'o', 'E', 13 ,10 , 0 };
char read_data[ 9 ];
uint32_t mem_addr;
void application_init ( void ) {
log_cfg_t log_cfg; /**< Logger config object. */
nvsram_cfg_t nvsram_cfg; /**< Click config object. */
/**
* Logger initialization.
* Default baud rate: 115200
* Default log level: LOG_LEVEL_DEBUG
* @note If USB_UART_RX and USB_UART_TX
* are defined as HAL_PIN_NC, you will
* need to define them manually for log to work.
* See @b LOG_MAP_USB_UART macro definition for detailed explanation.
*/
LOG_MAP_USB_UART( log_cfg );
log_init( &logger, &log_cfg );
log_info( &logger, " Application Init " );
mem_addr = 1024;
// Click initialization.
nvsram_cfg_setup( &nvsram_cfg );
NVSRAM_MAP_MIKROBUS( nvsram_cfg, MIKROBUS_1 );
err_t init_flag = nvsram_init( &nvsram, &nvsram_cfg );
if ( I2C_MASTER_ERROR == init_flag ) {
log_error( &logger, " Application Init Error. " );
log_info( &logger, " Please, run program again... " );
for ( ; ; );
}
log_printf( &logger, " Serial Number Lock \r\n" );
log_printf( &logger, " None Block Protection \r\n" );
nvsram_reg_write( &nvsram, NVSRAM_MEM_CTL_REG, NVSRAM_SNL | NVSRAM_BP_NONE );
Delay_ms( 100 );
log_printf( &logger, " Enable Memory Write \r\n" );
nvsram_enable_memory_write( &nvsram, NVSRAM_WRITE_MEMORY_ENABLE );
Delay_ms( 100 );
log_info( &logger, " Application Task \r\n" );
}
void application_task ( void ) {
log_printf( &logger, " Write data : %s \r\n", demo_data );
nvsram_memory_write( &nvsram, mem_addr, &demo_data[ 0 ], 9 );
log_printf( &logger, "- - - - - - - - - - - - \r\n" );
Delay_ms( 100 );
nvsram_memory_read( &nvsram, mem_addr, &read_data[ 0 ], 9 );
log_printf( &logger, " Read data : %s \r\n", read_data );
log_printf( &logger, "----------------------- \r\n" );
Delay_ms( 5000 );
}
void main ( void ) {
application_init( );
for ( ; ; ) {
application_task( );
}
}
// ------------------------------------------------------------------------ END