在我们的nvSRAM中,体验闪电般的SRAM速度和非易失性技术的弹性,确保数据安全。
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硬件概览
它是如何工作的?
nvSRAM 2 Click基于CY14B101Q,这是一款1兆位的nvSRAM,每个存储单元由Infineon的128K字8位组成,每个存储单元都带有一个非易失性元素。nvSRAM规定非易失性单元的耐久循环次数为一百万次,数据保留时间最少为20年。对nvSRAM的所有读写都发生在SRAM中,这使得nvSRAM具有处理内存无限写入的独特能力。此外,nvSRAM比串行EEPROM的优点在于,对nvSRAM的所有读写都以SPI速度进行,并且没有零周期延迟。因此,在任何内存访问之后都不需要等待时间。在系统断电时,来自SRAM的数据通过存储在标有C2的电容器中的
能量转移到其非易失性单元。在上电时,非易失性单元中的数据将自动恢复到SRAM阵列中,并提供给用户使用。在掉电期间,只有当从SRAM单元传输数据到非易失性单元时才会消耗耐久循环。可以通过标准SPI接口访问存储器,该接口支持高达40 MHz的时钟速度,具有零周期延迟的读写周期。它还支持两种最常见的模式,SPI Mode 0和3,并且通过特殊指令支持104 MHz的SPI访问速度。CY14B101Q使用标准SPI操作码进行内存访问。除了用于读写的常规SPI指令外,它还提供了四个特殊指令:存储(STORE)、召回(RECALL)、自动存储禁
用(ASDISB)和自动存储启用(ASENB)。除此之外,nvSRAM 2 Click还有一个额外的HOLD引脚,路由到标有HLD的mikroBUS™插座的PWM引脚上,用于暂停与设备的串行通信,而无需停止写状态寄存器、编程或正在进行的擦除操作。这个Click board™只能使用3.3V逻辑电压级别操作。在使用具有不同逻辑电压级别的MCU之前,板子必须执行适当的逻辑电压级别转换。此外,它配备了一个包含函数和示例代码的库,可用作进一步开发的参考。
功能概述
开发板
Fusion for TIVA v8 是一款专为快速开发嵌入式应用的需求而特别设计的开发板。它支持广泛的微控制器,如不同的32位ARM® Cortex®-M基础MCUs,来自Texas Instruments,无论它们的引脚数量如何,并且具有一系列独特功能,例如首次通过WiFi网络实现的嵌入式调试器/程序员。开发板布局合理,设计周到,使得最终用户可以在一个地方找到所有必要的元素,如开关、按钮、指示灯、连接器等。得益于创新的制造技术,Fusion for TIVA v8 提供了流畅而沉浸式的工作体验,允许在任何情况下、任何地方、任何
时候都能访问。Fusion for TIVA v8开发板的每个部分都包含了使同一板块运行最高效的必要组件。一个先进的集成CODEGRIP程序/调试模块提供许多有价值的编程/调试选项,包括对JTAG、SWD和SWO Trace(单线输出)的支持,并与Mikroe软件环境无缝集成。此外,它还包括一个干净且调节过的开发板电源供应模块。它可以使用广泛的外部电源,包括电池、外部12V电源供应和通过USB Type-C(USB-C)连接器的电源。通信选项如USB-UART、USB HOST/DEVICE、CAN(如果MCU卡支持的话)和以
太网也包括在内。此外,它还拥有广受好评的 mikroBUS™标准,为MCU卡提供了标准化插座(SiBRAIN标准),以及两种显示选项,用于TFT板线产品和基于字符的LCD。Fusion for TIVA v8 是Mikroe快速开发生态系统的一个组成部分。它由Mikroe软件工具原生支持,得益于大量不同的Click板™(超过一千块板),其数量每天都在增长,它涵盖了原型制作和开发的许多方面。
微控制器概述
MCU卡片 / MCU

类型
8th Generation
建筑
ARM Cortex-M4
MCU 内存 (KB)
512
硅供应商
Texas Instruments
引脚数
212
RAM (字节)
262144
使用的MCU引脚
mikroBUS™映射器
“仔细看看!”
Click board™ 原理图

一步一步来
项目组装
实时跟踪您的结果
应用程序输出
1. 应用程序输出 - 在调试模式下,“应用程序输出”窗口支持实时数据监控,直接提供执行结果的可视化。请按照提供的教程正确配置环境,以确保数据正确显示。

2. UART 终端 - 使用UART Terminal通过USB to UART converter监视数据传输,实现Click board™与开发系统之间的直接通信。请根据项目需求配置波特率和其他串行设置,以确保正常运行。有关分步设置说明,请参考提供的教程。

3. Plot 输出 - Plot功能提供了一种强大的方式来可视化实时传感器数据,使趋势分析、调试和多个数据点的对比变得更加直观。要正确设置,请按照提供的教程,其中包含使用Plot功能显示Click board™读数的分步示例。在代码中使用Plot功能时,请使用以下函数:plot(insert_graph_name, variable_name);。这是一个通用格式,用户需要将“insert_graph_name”替换为实际图表名称,并将“variable_name”替换为要显示的参数。

软件支持
库描述
该库包含 nvSRAM 2 Click 驱动程序的 API。
关键功能:
nvsram2_hold
- 该函数通过根据函数参数设置HOLD(PWM)引脚的状态,启用保持操作。nvsram2_set_cmd
- 该函数向nvSRAM 2 Click板上的CY14B101Q2A存储器发送所需的命令。nvsram2_read_id
- 该函数执行nvSRAM 2 Click板上CY14B101Q2A存储器的设备ID读取。
开源
代码示例
完整的应用程序代码和一个现成的项目可以通过NECTO Studio包管理器直接安装到NECTO Studio。 应用程序代码也可以在MIKROE的GitHub账户中找到。
/*!
* @file main.c
* @brief nvSRAM2 Click example
*
* # Description
* This is an example using nvSRAM 2 click based on CY14B101Q which is combines a 1-Mbit nvSRAM with a
* nonvolatile element in each memory cell with serial SPI interface. The memory is organized as 128K words of 8 bits each.
*
* The demo application is composed of two sections :
*
* ## Application Init
* Initializes SPI and UART LOG, sets CS and PWM pins as outputs.
* Disables hold, sets write enable latch, targets the memory address at 12345 ( 0x00003039 )
* for burst write starting point and writes data which is also displayed on the log.
*
* ## Application Task
* This is an example that demonstrates the use of the nvSRAM 2 click board. In this example, the data is read from
* the targeted memory address. The results are being sent to the Usart Terminal. This task repeats every 5 sec.
*
* @author Jelena Milosavljevic
*
*/
#include "board.h"
#include "log.h"
#include "nvsram2.h"
static nvsram2_t nvsram2;
static log_t logger;
static char demo_data[ 9 ] = { 'm', 'i', 'k', 'r', 'o', 'E', 13 ,10 , 0 };
static char rx_data[ 9 ];
static uint32_t memory_addr;
void application_init ( void ) {
log_cfg_t log_cfg; /**< Logger config object. */
nvsram2_cfg_t nvsram2_cfg; /**< Click config object. */
/**
* Logger initialization.
* Default baud rate: 115200
* Default log level: LOG_LEVEL_DEBUG
* @note If USB_UART_RX and USB_UART_TX
* are defined as HAL_PIN_NC, you will
* need to define them manually for log to work.
* See @b LOG_MAP_USB_UART macro definition for detailed explanation.
*/
LOG_MAP_USB_UART( log_cfg );
log_init( &logger, &log_cfg );
Delay_ms( 100 );
log_info( &logger, " Application Init " );
// Click initialization.
nvsram2_cfg_setup( &nvsram2_cfg );
NVSRAM2_MAP_MIKROBUS( nvsram2_cfg, MIKROBUS_1 );
err_t init_flag = nvsram2_init( &nvsram2, &nvsram2_cfg );
if ( SPI_MASTER_ERROR == init_flag ) {
log_error( &logger, " Application Init Error. " );
log_info( &logger, " Please, run program again... " );
for ( ; ; );
}
nvsram2_default_cfg ( &nvsram2 );
log_info( &logger, " Application Task " );
memory_addr = 12345;
nvsram2_burst_write( &nvsram2, memory_addr, demo_data, 9 );
log_printf( &logger, "-----------------------\r\n" );
log_printf( &logger, "-> Write data : %s \r\n", demo_data );
Delay_ms( 100 );
}
void application_task ( void ) {
nvsram2_burst_read( &nvsram2, memory_addr, rx_data, 9 );
log_printf( &logger, "-----------------------\r\n" );
log_printf( &logger, "<- Read data : %s \r\n", rx_data );
Delay_ms( 5000 );
}
void main ( void ) {
application_init( );
for ( ; ; ) {
application_task( );
}
}
// ------------------------------------------------------------------------ END