使用我们的SRAM存储器,您可以信赖数据的完整性和快速访问,以支持关键操作。
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硬件概览
它是如何工作的?
SRAM 3 Click 基于 ANV32AA1WDK66,这是一款串行非易失性 SRAM,具有双内存架构和 SPI 串行接口,由 Anvo-System Dresden 提供,组织为 128k 字,每个字为 8 位。该内存在每个存储单元中包含一个硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)闪存存储元件。如果操作电压不可预见地下降到定义值以下,SONOS 技术能够在不到 15 毫秒的时间内实现非易失性数据存储。SRAM 3 Click 集成的掉电功能具有小于 1µA 的待机电流,确保低功耗,从掉电模式恢复的时间通常为 60µs。ANV32AA1WDK66 具有独特的安全特性,如校验和保护的内存访问(安全读取和安全写入
指令)和时间监控,确保了该 Click board™ 的高度可靠性。损坏的数据不能覆盖现有内存内容;即使是有效数据也不会覆盖损坏的地址。SRAM 3 Click 还提供了一些 SRAM 的显著优势,如快速访问时间和无限的写/读耐久性。SRAM 3 Click 集成了一个额外的 IC,即 TXB0108PWR,这是德州仪器的一款 8 位双向电压电平转换器。这使得 Click board™ 可以与更多种类的 MCU 一起使用,同时,TXB0108PWR 可以保护 ANV32AA1WDK66 免受高达 ±15 kV 的静电放电(ESD),使得 SRAM 3 Click 成为非常可靠的嵌入式存储解决方案。ANV32AA1WDK66 使用标准 SPI 串行
接口与 MCU 通信,支持模式 0 和 3,最大频率为 66 MHz。它还具有一个额外的 HOLD 功能,该功能通过 mikroBUS™ 插槽的 PWM 引脚标记为 HLD。这个引脚与 CS 引脚一起用于选择设备。当设备被选择并且串行序列正在进行时,HLD 引脚可以暂停与主设备的串行通信而不会重置串行序列。这个 Click board™ 可以通过 VCC SEL 跳线选择使用 3.3V 或 5V 逻辑电压水平。这样,3.3V 和 5V 的 MCU 都可以正确使用通信线路。此外,这个 Click board™ 配备了一个包含易于使用的函数和示例代码的库,可以作为进一步开发的参考。
功能概述
开发板
PIC18F57Q43 Curiosity Nano 评估套件是一款尖端的硬件平台,旨在评估 PIC18-Q43 系列内的微控制器。其设计的核心是包含了功能强大的 PIC18F57Q43 微控制器(MCU),提供先进的功能和稳健的性能。这个评估套件的关键特点包括一个黄 色用户 LED 和一个响应灵敏的机械用户开关,提供无
缝的交互和测试。为一个 32.768kHz 水晶振荡器足迹提供支持,确保精准的定时能力。套件内置的调试器拥有一个绿色电源和状态 LED,使编程和调试变得直观高效。此外,增强其实用性的还有虚拟串行端口 (CDC)和一个调试 GPIO 通道(DGI GPIO),提供广泛的连接选项。该套件通过 USB 供电,拥有由
MIC5353 LDO 调节器提供支持的可调目标电压功能,确保在 1.8V 至 5.1V 的输出电压范围内稳定运行,最大输出电流为 500mA,受环境温度和电压限制。
微控制器概述
MCU卡片 / MCU

建筑
PIC
MCU 内存 (KB)
128
硅供应商
Microchip
引脚数
48
RAM (字节)
8196
你完善了我!
配件
Curiosity Nano Base for Click boards 是一款多功能硬件扩展平台,专为简化 Curiosity Nano 套件与扩展板之间的集成而设计,特别针对符合 mikroBUS™ 标准的 Click 板和 Xplained Pro 扩展板。这款创新的基板(屏蔽板)提供了无缝的连接和扩展可能性,简化了实验和开发过程。主要特点包括从 Curiosity Nano 套件提供 USB 电源兼容性,以及为增强灵活性而提供的另一种外部电源输入选项。板载锂离子/锂聚合物充电器和管理电路确保电池供电应用的平稳运行,简化了使用和管理。此外,基板内置了一个固定的 3.3V 电源供应单元,专用于目标和 mikroBUS™ 电源轨,以及一个固定的 5.0V 升压转换器,专供 mikroBUS™ 插座的 5V 电源轨,为各种连接设备提供稳定的电力供应。
使用的MCU引脚
mikroBUS™映射器
“仔细看看!”
Click board™ 原理图

一步一步来
项目组装
软件支持
库描述
该库包含 SRAM 3 Click 驱动程序的 API。
关键功能:
sram3_enable_write- 该函数用于启用对内存、状态寄存器或用户序列的写入。sram3_disable_write- 该函数用于禁用对内存、状态寄存器或用户序列的写入。sram3_protect_memory- 该函数用于保护内存的部分区域不被写入。
开源
代码示例
完整的应用程序代码和一个现成的项目可以通过NECTO Studio包管理器直接安装到NECTO Studio。 应用程序代码也可以在MIKROE的GitHub账户中找到。
/*!
* @file main.c
* @brief SRAM3 Click example
*
* # Description
* This is an example that shows the use of SRAM memory, using SRAM 3 Click. SRAM 3 Click is based on ANV32AA1W,
* and ANV32AA1W is a 1Mb serial SRAM with a non-volatile SONOS storage element included with each memory cell,
* organized as 128k words of 8 bits each. The devices are accessed by a high speed SPI-compatible bus.
* Specifically in this example, we used the high-speed SPI communication characteristics to write data to a specific
* registration address and read it.
*
* The demo application is composed of two sections :
*
* ## Application Init
* Initialization SPI module, logger initalization and Click initialization.
*
* ## Application Task
* First, we write the data to the registry address 0x00, and then we read the data from 0x00 address.
*
* @author Jelena Milosavljevic
*
*/
#include "board.h"
#include "log.h"
#include "sram3.h"
static sram3_t sram3;
static log_t logger;
uint8_t buf[10] = { 'M','i','k','r','o','E', 0 };
void application_init ( void ) {
log_cfg_t log_cfg; /**< Logger config object. */
sram3_cfg_t sram3_cfg; /**< Click config object. */
/**
* Logger initialization.
* Default baud rate: 115200
* Default log level: LOG_LEVEL_DEBUG
* @note If USB_UART_RX and USB_UART_TX
* are defined as HAL_PIN_NC, you will
* need to define them manually for log to work.
* See @b LOG_MAP_USB_UART macro definition for detailed explanation.
*/
LOG_MAP_USB_UART( log_cfg );
log_init( &logger, &log_cfg );
log_info( &logger, " Application Init " );
// Click initialization.
sram3_cfg_setup( &sram3_cfg );
SRAM3_MAP_MIKROBUS( sram3_cfg, MIKROBUS_1 );
err_t init_flag = sram3_init( &sram3, &sram3_cfg );
if ( SPI_MASTER_ERROR == init_flag ) {
log_error( &logger, " Application Init Error. " );
log_info( &logger, " Please, run program again... " );
for ( ; ; );
}
log_info( &logger, " Application Task " );
sram3_release_hold( &sram3 );
Delay_ms ( 100 );
}
void application_task ( void ) {
char buff_out[ 10 ] = { 0 };
log_printf( &logger, "Writing [ %s ] to memory...\r\n", buf );
sram3_enable_write( &sram3 );
sram3_write( &sram3, 0x00, &buf[0], 6 );
Delay_ms ( 100 );
sram3_read( &sram3, 0x00, &buff_out[0], 6 );
Delay_ms ( 100 );
log_printf( &logger, "Data read from memory: %s \r\n", buff_out );
log_printf( &logger, "---------------------------------------------\r\n" );
Delay_ms ( 1000 );
Delay_ms ( 1000 );
}
int main ( void )
{
/* Do not remove this line or clock might not be set correctly. */
#ifdef PREINIT_SUPPORTED
preinit();
#endif
application_init( );
for ( ; ; )
{
application_task( );
}
return 0;
}
// ------------------------------------------------------------------------ END
额外支持
资源
类别:静态随机存取存储器

































