通过这个SPI串行闪存解决方案,发现全新的内存性能和安全性。
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硬件概览
它是如何工作的?
Flash 9 Click基于W25Q02JV,这是一种高度可靠的串行闪存解决方案,提供了比普通串行闪存设备更高的灵活性和性能,来自华邦电子。W25Q02JV代表了四个512Mb堆叠晶片,其中只有一个在任何给定时间可以与外部SPI控制器通信。它支持全2Gb内存地址范围的线性寻址(只能连续读取到四个独立的512Mb地址内存段)。W25Q02JV数组被组织为1,048,576个可编程页,每页256字节,每次最多可编程256字节。W25Q02JV的页面可以以16个组(4KB扇区擦除)、128个组(32KB块擦除)、256个组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。此IC分别具有32,768
个可擦除的4KB扇区和2,048个可擦除的64KB块。小的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用中具有更大的灵活性。此外,它指定了至少100,000次的耐久周期和至少20年的数据保持,这使得W25Q02JV能够处理无限次的读写操作。Flash 9 Click通过标准SPI接口与MCU通信,该接口支持高时钟速度,支持两种最常见的SPI模式,SPI模式0和3。除了内部软件复位序列外,该板还有一个有效低复位信号,路由到mikroBUS™插座的RST引脚,用于将W25Q02JV重置为初始上电状态。当该信号被拉低时,任何正在进行的程序/擦除操作将被中断,并且可能发生数据损坏(设备将不接受
任何命令输入)。此Click板™的另一个特点是可配置的写保护功能,标记为WP并路由到mikroBUS™插座的AN引脚。WP引脚保护整个内存和所有寄存器免受写操作影响,必须设置为低逻辑状态以禁止所有写操作。此外,Flash 9 Click还具有一个额外的保持引脚,标记为HLD,并路由到mikroBUS™插座的PWM引脚,允许设备在仍然被主动选择时暂停工作。此Click板™只能在3.3V逻辑电压水平下操作。在使用不同逻辑水平的MCU之前,板子必须进行适当的逻辑电压水平转换。但是,Click板™配备了包含函数和示例代码的库,可以作为进一步开发的参考。
功能概述
开发板
32L496GDISCOVERY Discovery 套件是一款功能全面的演示和开发平台,专为搭载 Arm® Cortex®-M4 内核的 STM32L496AG 微控制器设计。该套件适用于需要在高性能、先进图形处理和超低功耗之间取得平衡的应用,支持无缝原型开发,适用于各种嵌入式解决方案。STM32L496AG 采用创新的节能架构,集成
了扩展 RAM 和 Chrom-ART 图形加速器,在提升图形性能的同时保持低功耗,使其特别适用于音频处理、图形用户界面和实时数据采集等对能效要求较高的应用。为了简化开发流程,该开发板配备了板载 ST-LINK/V2-1 调试器/编程器,提供即插即用的调试和编程体验,使用户无需额外硬件即可轻松加载、调
试和测试应用程序。凭借低功耗特性、增强的内存能力以及内置调试工具,32L496GDISCOVERY 套件是开发先进嵌入式系统、实现高效能解决方案的理想选择。
微控制器概述
MCU卡片 / MCU

建筑
ARM Cortex-M4
MCU 内存 (KB)
1024
硅供应商
STMicroelectronics
引脚数
169
RAM (字节)
327680
使用的MCU引脚
mikroBUS™映射器
“仔细看看!”
Click board™ 原理图

一步一步来
项目组装
软件支持
库描述
该库包含 Flash 9 Click 驱动程序的 API。
关键功能:
flash9_erase_memory- 此功能擦除包含选定地址的选定数量的内存。flash9_memory_write- 此功能从选定地址开始,将所需数量的数据字节写入内存。flash9_memory_read_fast- 此功能从选定地址开始执行快速读取命令,读取所需数量的内存数据字节。
开源
代码示例
完整的应用程序代码和一个现成的项目可以通过NECTO Studio包管理器直接安装到NECTO Studio。 应用程序代码也可以在MIKROE的GitHub账户中找到。
/*!
* @file main.c
* @brief Flash9 Click example
*
* # Description
* This example demonstrates the use of Flash 9 Click board by writing specified data to
* the memory and reading it back.
*
* The demo application is composed of two sections :
*
* ## Application Init
* Initializes the driver and performs the Click default configuration.
*
* ## Application Task
* Erases the memory sector and then writes a desired number of data bytes to the memory
* and verifies that it is written correctly by reading from the same memory location and
* displaying the memory content on the USB UART.
*
* @author Stefan Filipovic
*
*/
#include "board.h"
#include "log.h"
#include "flash9.h"
#define DEMO_TEXT_MESSAGE "MikroE - Flash 9 Click board"
#define STARTING_ADDRESS 0x01234567ul
static flash9_t flash9;
static log_t logger;
void application_init ( void )
{
log_cfg_t log_cfg; /**< Logger config object. */
flash9_cfg_t flash9_cfg; /**< Click config object. */
/**
* Logger initialization.
* Default baud rate: 115200
* Default log level: LOG_LEVEL_DEBUG
* @note If USB_UART_RX and USB_UART_TX
* are defined as HAL_PIN_NC, you will
* need to define them manually for log to work.
* See @b LOG_MAP_USB_UART macro definition for detailed explanation.
*/
LOG_MAP_USB_UART( log_cfg );
log_init( &logger, &log_cfg );
log_info( &logger, " Application Init " );
// Click initialization.
flash9_cfg_setup( &flash9_cfg );
FLASH9_MAP_MIKROBUS( flash9_cfg, MIKROBUS_1 );
if ( SPI_MASTER_ERROR == flash9_init( &flash9, &flash9_cfg ) )
{
log_error( &logger, " Communication init." );
for ( ; ; );
}
if ( FLASH9_ERROR == flash9_default_cfg ( &flash9 ) )
{
log_error( &logger, " Default configuration." );
for ( ; ; );
}
log_info( &logger, " Application Task " );
}
void application_task ( void )
{
uint8_t data_buf[ 128 ] = { 0 };
if ( FLASH9_OK == flash9_erase_memory ( &flash9, FLASH9_CMD_SECTOR_ERASE_WITH_4BYTE_ADDRESS,
STARTING_ADDRESS ) )
{
log_printf ( &logger, "Sector from address 0x%.8LX has been erased!\r\n", STARTING_ADDRESS );
}
Delay_ms ( 500 );
if ( FLASH9_OK == flash9_memory_write ( &flash9, STARTING_ADDRESS, DEMO_TEXT_MESSAGE,
strlen ( DEMO_TEXT_MESSAGE ) ) )
{
log_printf ( &logger, "Data written to address 0x%.8LX: \"%s\"\r\n", STARTING_ADDRESS,
( char * ) DEMO_TEXT_MESSAGE );
}
Delay_ms ( 500 );
if ( FLASH9_OK == flash9_memory_read_fast ( &flash9, STARTING_ADDRESS, data_buf,
strlen ( DEMO_TEXT_MESSAGE ) ) )
{
log_printf ( &logger, "Data read from address 0x%.8LX: \"%s\"\r\n\n", STARTING_ADDRESS,
data_buf );
}
Delay_ms ( 1000 );
Delay_ms ( 1000 );
}
int main ( void )
{
/* Do not remove this line or clock might not be set correctly. */
#ifdef PREINIT_SUPPORTED
preinit();
#endif
application_init( );
for ( ; ; )
{
application_task( );
}
return 0;
}
// ------------------------------------------------------------------------ END
额外支持
资源
类别:闪存































